| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 生命周期 | Active |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.71 |
| 风险等级 | 5.51 |
| 最长访问时间 | 15 ns |
| 周期时间 | 25 ns |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 37.1475 mm |
| 内存密度 | 73728 bit |
| 内存宽度 | 9 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| **工作温度 | 70 °C |
| ***工作温度 | |
| 组织 | 8KX9 |
| 可输出 | NO |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面**高度 | 5.08 mm |
| **供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| base Number Matches | 1 |
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