| 生命周期 | Obsolete |
| 包装说明 | 2-6J1B, 8 PIN |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 5.67 |
| Is Samacsys | N |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 40 V |
| **漏极电流 (Abs) (ID) | 7.5 A |
| **漏极电流 (ID) | 7.5 A |
| **漏源导通电阻 | 0.037 Ω |
| FET 技术 | metaL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| **工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| **功率耗散 (Abs) | 1.9 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 子类别 | Other Transistors |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| base Number Matches | 1 |
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